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肇慶市高能達(dá)化工有限公司
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名稱:四氟化碳      型號:

CF4四氟化碳

簡介

  四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子蝕刻氣體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅,磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻,在電子器件表面清洗,太陽能電池的生產(chǎn),激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài),印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。由于四氟化碳的化學(xué)穩(wěn)定性,四氟化碳可用于金屬冶煉,例如:銅、不銹鋼,碳鋼、鋁、蒙乃爾等;還可用于塑料行業(yè);如:合成橡膠、氯丁橡膠、聚氨基甲酸乙酯。

 

應(yīng)用

  以純四氟甲烷或者和氧氣混合的方式,用于在CVD過程之前,對二氧化硅、氮化硅、多晶硅和一些硅金屬化合物進(jìn)行的等離子刻蝕。

 

四氟化碳用途

  四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時,通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得451的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。

由于化學(xué)穩(wěn)定性極強(qiáng),CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。

四氟化碳的溶氧性很好,因此被科學(xué)家用于超深度潛水實(shí)驗(yàn)代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功,在275米到366米的深度內(nèi),小白鼠仍可安全脫險。

 

注意事項(xiàng)

  四氟化碳是不燃性壓縮氣體。儲存于陰涼、通風(fēng)倉間內(nèi)。倉內(nèi)溫度不宜超過60℃。遠(yuǎn)離火種、熱源。防止陽光直射。應(yīng)與易燃或可燃物分開存放。驗(yàn)收時要注意品名,注意驗(yàn)瓶日期,先進(jìn)倉的先發(fā)用。搬運(yùn)四氟化碳時輕裝輕卸,防止鋼瓶及附件破損。泄漏時,應(yīng)迅速撤離泄漏污染區(qū)人員至上風(fēng)處,并進(jìn)行隔離,嚴(yán)格限制出入。建議應(yīng)急處理人員戴自給正壓式呼吸器,穿一般作業(yè)工作服。盡可能切斷泄漏源。合理通風(fēng),加速擴(kuò)散。如有可能,即時使用。漏氣容器要妥善處理,修復(fù)、檢驗(yàn)后再用。

 

 商品詳細(xì)介紹

 

 

 A colorless,nonflammable,high pressure gas.(一種無色不燃高壓氣體)

 Formula(分子式):

CF4

 

 Molecular weight(分子量):

88

 

 Boiling point(沸點(diǎn)):

-78.2℃

-108.76°F

 Melting point(熔點(diǎn)):

-100.7℃

-149.26°F

 Vapor pressure(蒸汽壓):

13.8MPa(21.1℃)

2000Psia(70°F)

 Specific volume(比容):

0.27m3/kg(21.1℃,101.325KPa) 

4.4ft3/lb(70°F,14.696psia)

 UN Number(UN號碼):

UN1982

 

 DOT Classification(DOT類別):

2.2(Nonflammable Gas)(不燃性氣體)

 DOT Lable(DOT標(biāo)簽):

NON-FLAMMABLE GAS(不燃性氣體)

 Grsde(級別):

5N

 

 Purity(純度):

99.999%

 

 

 純度

 

 Impurity(非組分):

Specification(標(biāo)準(zhǔn))

 Oxygen(氧):

≤2.0  ppmv

 Nitrogen(氮):

≤5.0  ppmv

 Carbon Dioxide(二氧化碳):

≤0.5 ppmv

 Carbon Monoxide(一氧化碳):

≤0.5 ppmv

 Other Organics(其他有機(jī)物):

≤0.1 ppmv

 Water(水):

≤1.5 ppmv

 Acidity as HF(酸化物,如氟化氫):

≤1.0 ppmv

 

 包裝

容積

重量

連接閥門

 小鋼瓶

44L 47L

31Kg

CGA580 CGA320 DISS716 QF-011

 

 

應(yīng)用:以純四氟甲烷或者和氧氣混合的方式,用于在CVD過程之前,對二氧化硅、氮化硅、多晶硅和一些硅金屬化合物進(jìn)行的等離子刻蝕。

  

 

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